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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FDMS86263P |
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
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Einheitlich
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NVMFS5113PLT1G |
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
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Einheitlich
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Die Kommission wird |
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
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Einheitlich
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IRF740PBF |
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
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Vishay Siliconix
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SI2305CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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PJA138K_R1_00001 |
SOT-23, MOSFET
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Panjit International Inc.
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SIR422DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Das ist der SSM3J328R, LF. |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
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Toshiba Halbleiter und Speicher
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DMN2058UW-7 |
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
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Dioden eingebunden
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DMN2400UFB-7 |
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
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Dioden eingebunden
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NX7002AK,215 |
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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SIR681DP-T1-RE3 |
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
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Vishay Siliconix
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IRF820PBF |
MOSFET N-CH 500V 2,5A TO220AB
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Vishay Siliconix
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 200V 2,6A PPAK SC70
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Vishay Siliconix
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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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bss84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
MOSFET P-CH 40V 2,7A/3,6A SOT23
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Vishay Siliconix
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BUK7M33-60EX |
MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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PMXB120EPEZ |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
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Nexperia USA Inc.
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PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1,5A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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RK7002BMHZGT116 |
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
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Rohm Halbleiter
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Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Anwendungsbereichs wird in der Angabe des Anwendungsbereichs erfolgen. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt. |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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PMV37ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 3.5A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV40UN2R |
MOSFET N-CH 30V 3.7A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV20ENR |
MOSFET N-CH 30V 6A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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DMG1013T-7 |
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
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Dioden eingebunden
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LMN400E01-7 |
MCU-Lastschalter 400MA SOT-363
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Dioden eingebunden
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2SK932-22-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
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Einheitlich
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2N5457 |
JFET N-CH 25V TO92-3
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Zentral Semiconductor Corp.
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2SK2394-7-TB-E |
JFET N-CH 50MA 3CP
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Einheitlich
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Die Nummern 1 und 2 gelten nicht. |
JFET P-CH 30V SOT23-3
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Einheitlich
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2SK3666-3-TB-E |
JFET N-CH 10MA SMCP
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Einheitlich
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J201 |
JFET N-CH 40V TO92-3
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Einheitlich
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2SK932-23-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
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Einheitlich
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
JFET N-CH 30V SOT23-3
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Einheitlich
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MMBFJ177LT1G |
JFET P-CH 30V SOT23-3
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Einheitlich
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2SK932-24-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
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Einheitlich
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MMBFJ201 |
JFET N-CH 40V SOT23-3
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Einheitlich
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2N5458 |
JFET N-CH 25V TO92
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Einheitlich
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2SC5338-T1-AZ |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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CEL
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2SC4226-T1-A |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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CEL
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2SC3357-T1-A |
HF TRANS NPN 12V 6,5 GHz SOT89
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CEL
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MRF5812GR1 |
HF TRANS NPN 15V 5GHz 8SO
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Die Mikrosemi Corporation
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BF199 |
HF TRANS NPN 25V 1,1 GHz TO92-3
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Einheitlich
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HFA3046BZ |
Die Daten werden von den zuständigen Behörden der Mitgliedstaaten übermittelt.
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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SLA4070 |
Übertragung von 4PNP DARL 100V 5A 12SIP
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Sanken Electric USA Inc.
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SLA4031 |
Trans 4NPN DARL 120V 4A 12SIP
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Sanken Electric USA Inc.
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STA413A |
Trans 4NPN 35V 3A 10-SIP
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Sanken Electric USA Inc.
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