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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
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Einheitlich
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FDP3632 |
MOSFET 100V 80a.9 Ohm/VGS = 1V
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Fairchild Halbleiter
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IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
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Infineon Technologies
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IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Klasse HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
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IXYS
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NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Kanal QFET Logische Ebene
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Fairchild Halbleiter
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SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Kanal 20V 3,9A
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Vishay Halbleiter
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Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1,25ohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
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Fairchild Halbleiter
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2N7002WT1G |
MOSFET KLEINES SIGNAL MOSFET 6,8 V LO C
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Einheitlich
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DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-Kanal SOT-523
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Dioden eingebunden
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BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
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Infineon Technologies
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SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
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Vishay Halbleiter
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FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 20 Ampere 500V 0,33 Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET 200 Ampere 100V 0,0075 Rds
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IXYS
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IXTQ50N25T |
MOSFET 50 Ampere 250 V
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IXYS
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DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V bis 24V
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Dioden eingebunden
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IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction der Klasse X2
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IXYS
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Einheitliche Prüfungen |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 600V 36A
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IXYS
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FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP14N30 |
MOSFET 300 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Kanal-Vorlauf Q-FET
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Fairchild Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Siliconix / Vishay
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
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Einheitlich
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IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
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Infineon Technologies
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IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
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Infineon Technologies
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FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
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Fairchild Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultraschnittstelle X2
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IXYS
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IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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Infineon Technologies
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SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
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Siliconix / Vishay
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DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET Linear erweiterte FBSOA Leistung MOSFET
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IXYS
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Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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Vishay Halbleiter
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SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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IXFK44N80P |
MOSFET 44 Ampere 800 V
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IXYS
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BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Ampere
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Vishay Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
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Infineon Technologies
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BSC010N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Infineon Technologies
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FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Kanal-Leistungsgraben
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Fairchild Halbleiter
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FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Kanal-Stromspannung MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP46N15 |
MOSFET 150V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDS86141 |
MOSFET 100V N-Kanal-Stromstrang MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6,5A 3,7W
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Vishay Halbleiter
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SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41,7W 7,9mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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