Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt.
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® SO-8
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
585 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.95mOhm @ 25A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Vgs (maximal):
±12V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
20000 pF @ 10 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI7137
Einleitung
P-Kanal 20 V 60 A (Tc) 6,25 W (Ta), 104 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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IRFP21N60LPBF |
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SIR880ADP-T1-GE3 |
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SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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