PMXB120EPEZ
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 2.4A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
309 pF @ 15 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.4A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
400 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
PMXB120
Einleitung
P-Kanal 30 V 2,4 A (Ta) 400 mW (Ta), 8,3 W (Tc) Oberflächenhalter DFN1010D-3
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