Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Anwendungsbereichs wird in der Angabe des Anwendungsbereichs erfolgen.
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Fet-Eigenschaft:
-
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
TrenchFET®
Vgs (maximal):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Verlustleistung (maximal):
1,9 W (TA)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® SO-8
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
8,6 A (ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI7461
Einleitung
Berg PowerPAK® SO-8 des P-Kanal-60 V 8.6A (Ta) der Oberflächen-1.9W (Ta)
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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IRFP21N60LPBF |
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SIR880ADP-T1-GE3 |
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SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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