SIR681DP-T1-RE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET-Typ:
P-Kanal
Fet-Eigenschaft:
-
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.6V @ 250µA
Reihe:
TrenchFET® Gen IV
Vgs (maximal):
± 20V
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.2mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4850 pF @ 40 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Verlustleistung (maximal):
6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® SO-8
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SIR681
Einleitung
P-Kanal 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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