IRF820PBF
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2,5A TO220AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 1.5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
500 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
360 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.5A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
50W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
IRF820
Einleitung
N-Kanal 500 V 2,5 A (Tc) 50 W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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