RK7002BMHZGT116
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 1mA
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
15 pF @ 25 V
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Vgs (maximal):
± 20V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Lieferanten-Gerätepaket:
SST3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4 Ohm @ 250 mA, 10 V
Mfr:
ROHM Halbleiter
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 10V
Verlustleistung (maximal):
350mW (Ta)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
250 mA (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
RK7002
Einleitung
N-Kanal 60 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenhalter SST3
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