PMV37ENEAR
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 3.5A bis 236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.7V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
49 mOhm @ 3,5 A, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
450 pF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
3.5A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
710 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
PMV37
Einleitung
N-Kanal 60 V 3,5 A (Ta) 710 mW (Ta), 8,3 W (Tc) Oberflächenhalter TO-236AB
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