PMV40UN2R
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 3.7A bis 236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900 mV bei 250 µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
44 mOhm @ 3,7A, 4,5 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1.8V, 4.5V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Vgs (maximal):
±12V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
635 pF @ 15 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
3.7A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
490 mW (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
PMV40UN2
Einleitung
N-Kanal 30 V 3.7A (Ta) 490mW (Ta) Oberflächenhalter TO-236AB
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