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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen. |
IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B
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IXYS
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IXYN100N120C3H1 |
IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
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IXYS
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IXGN100N170 |
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
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IXYS
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MIXA40WB1200TED |
IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2
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IXYS
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IXYN100N120C3 |
IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
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IXYS
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DTC123JKA |
Trans-PRE-BIASED 200MA SOT-23 ist für die Verwendung in der Verpackung vorgesehen.
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Rectron USA
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DTC123JUA |
TRANS PRE-BIASED 200MA SOT-323
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Rectron USA
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STP120N4F6 |
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
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STMikroelektronik
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SI4483ADY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
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Vishay Siliconix
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NTTFS5116PLTAG |
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
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Einheitlich
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BSS138 |
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt. |
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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Texas Instruments
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FQP50N06L |
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
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Einheitlich
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FDMS2672 |
MOSFET N-CH 200V 3,7A/20A 8MLP
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Einheitlich
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2N7002T-7-F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
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Dioden eingebunden
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ZVP3310FTA |
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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IRFBG30PBF |
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
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Vishay Siliconix
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IRF9540PBF |
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
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Vishay Siliconix
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IRF840PBF |
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
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Vishay Siliconix
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FDS8880 |
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für |
MOSFET N-CH 60V 2,7A SOT23
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Infineon Technologies
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SI1012R-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
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Vishay Siliconix
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DMG2301L-7 |
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
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Dioden eingebunden
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2N7002K-7 |
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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FCPF380N60E |
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
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Einheitlich
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SQM120P10_10M1LGE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
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Vishay Siliconix
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DMN2300U-7 |
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
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Dioden eingebunden
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FDMS86163P |
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
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Einheitlich
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SUD50P06-15-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
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Vishay Siliconix
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SI7155DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
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Vishay Siliconix
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NDT3055L |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
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Einheitlich
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FDMS10C4D2N |
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
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Einheitlich
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FDMC7692S |
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
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Einheitlich
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IRF9520 PBF |
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
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Vishay Siliconix
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PMV100EPAR |
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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DMG3404L-7 |
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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DMP2022LSS-13 |
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
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Dioden eingebunden
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SI2302CDS-T1-E3 |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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DMP2120U-7 |
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
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Dioden eingebunden
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2N7002W-7-F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
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Dioden eingebunden
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RUM002N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
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Rohm Halbleiter
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FDC602P |
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
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Einheitlich
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ZXMP6A17GQTA |
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
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Dioden eingebunden
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