Haus

fabricants

Senden Sie RFQ

Haus > produits > Getrennte Halbleiter-Produkte > Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen.

Name: Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen.
Brand: AI CHIPLINK LIMITED
Availability: InStock

fabricant:

Vishay Siliconix

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 2,7A/3,6A SOT23

Kategorie:

Getrennte Halbleiter-Produkte

Spezifikationen

Kategorie:

Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.5V @ 250µA

Betriebstemperatur:

-55 °C bis 150 °C (TJ)

Packung / Gehäuse:

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:

19 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

75 mOhm @ 2,7 A, 10 V

FET-Typ:

P-Kanal

Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):

4.5V, 10V

Paket:

Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®

Abflussspannung zur Quelle (Vdss):

40 V

Vgs (maximal):

± 20V

Produktstatus:

Aktiv

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:

650 pF @ 20 V

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Reihe:

TrenchFET® Gen III

Lieferanten-Gerätepaket:

SOT-23-3 (TO-236)

Mfr:

Vishay Siliconix

Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:

2.7A (Ta), 3.6A (Tc)

Verlustleistung (maximal):

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Technologie:

MOSFET (Metalloxid)

Basisproduktnummer:

SI2319

Einleitung

P-Kanal 40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Oberflächenhalter SOT-23-3 (TO-236)

Verwandte Produkte

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7148DP-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Siehe auch Anhang I Abschnitt I.

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

SQSA12CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

SI4058DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3

IRFS9N60ATRLPBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

SQM120P06-07L_GE3

MOSFET P-CH 60V 120A TO263

SQM100P10-19L_GE3

MOSFET P-CH 100V 93A TO263

SI7439DP-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

IRFU420PBF

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA

SI7135DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

SIR872ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7456CDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

SIR690DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

SQJ459EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8

SI7463ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

SISS71DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

SQJA68EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3