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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen.

fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 2,7A/3,6A SOT23
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75 mOhm @ 2,7 A, 10 V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
650 pF @ 20 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET® Gen III
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
1W (Ta), 1.7W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI2319
Einleitung
P-Kanal 40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Oberflächenhalter SOT-23-3 (TO-236)
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