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Halbleiter-Integrierte Schaltungen - ICs

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

802.11n Wireless Module
Schnittstellen
C5198

C5198

Anwendungen für Silizium-NPN-Triple-Diffus-Typ-Leistungsverstärker
Toshiba
RTFördermittel

RTFördermittel

Kompleter DDRII/DDRIII-Speicher-Stromversorgungssteuergerät
Richtek
2SC3997

2SC3997

Farbbildschirm mit sehr hoher Auflösung
SANYO
SII9134CTU

SII9134CTU

VastLaneTM HDMI-Sender
Halbleiter mit Gitter
MIP2F4

MIP2F4

MIP2C2 Hochleistungs-IPD für Batterieladegeräte
Panasonics
W9864G6IH-7

W9864G6IH-7

1M × 4BANKS × 16BITS SDRAM
Winbond Elektronik
K4S561632H-UC75

K4S561632H-UC75

SDRAM-Produktführer
Halbleiter von Samsung
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte

Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte

32K x 8 CMOS-statische RAM mit hoher Geschwindigkeit
ISSI
K4S511632D-UC75

K4S511632D-UC75

DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banken Synchronen DRAM LVTTL
Halbleiter von Samsung
Die Zulassung ist abgeschlossen.

Die Zulassung ist abgeschlossen.

TOSHIBA Fotocoupler GaAs Ired und Photo-Triac
Toshiba
Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

Steuerungssysteme für Stromresonanztyp-Schaltnetzteil mit Halbbrückenresonanz
Sanken
Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

Hochleistungs-E2CMOS PLD Generic Array LogicTM
Gitter
K4T1G164QE-HCF8

K4T1G164QE-HCF8

1 GB E-Die DDR2 SDRAM
Halbleiter von Samsung
Der Name der Gruppe ist SKY77753-51.

Der Name der Gruppe ist SKY77753-51.

Leistungsverstärkermodul für Penta-Band FDD LTE
Skyworks-Lösungen
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte

Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte

MCU 16-Bit-MCS96 CISC ROMLess 5V 68-Pin PLCC - Massengut (Alt: EE80C196KC20): RoHS-konform
Informationen
Die Ausrüstung ist in Form von

Die Ausrüstung ist in Form von

Modul für das Front-End-Modul Tx-Rx iPAC - Vierband-GSM/GPRS
Skyworks-Lösungen
K9F1G08U0B-PCB0

K9F1G08U0B-PCB0

128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND-Flashspeicher
Halbleiter von Samsung
Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

Filmkondensator 0,01 uF 16VDC 5% PPS FILM 0805
Panasonics
K9F5608U0D-PIB0

K9F5608U0D-PIB0

32 M x 8 Bit NAND-Flashspeicher
Halbleiter von Samsung
TMP86FH47BUG

TMP86FH47BUG

8 Bit-Mikrocontroller der TLCS-870/C-Serie
Toshiba-Halbleiter
HD64F3062BF25V

HD64F3062BF25V

MCU 16-Bit/32-Bit H8 CISC 128KB Flash 3.3V/5V 100-Pin PQFP - Trays (Alt: DF3062BF25V)
Renesas Electronics
HD64F3048BF25V

HD64F3048BF25V

IC,Mikrocontroller,16-BIT,H8/300H CPU,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC
Renesas Electronics
2SC2879

2SC2879

Transistoren (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER ANWENDUNGEN)
Toshiba-Halbleiter
LA7840

LA7840

Vertikaler Abbiegungsausgang
SANYO
LA7837

LA7837

Vertikaler Abbiegungskreis mit TV / CRT-Display-Antrieb
SANYO
TC4049BP

TC4049BP

IC 4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDIP16, 0,300 INCH, 2,54 MM PITCH, PLASTIC, DIP
Toshiba-Halbleiter
LA3600

LA3600

2-Kanal-Ausstrahlungsverstärker für Radio und Tape-Recorder
SANYO
LA7830

LA7830

Farb-TV-Vertikal-Ausweich-Ausgangsschaltung
SANYO
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht.

Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht.

Regulierer für den Bus-Terminator
Nuvoton Technologie
HS4-3282-8

HS4-3282-8

CMOS ARINC Bus-Schnittstellen-Schaltung
Intersil
K4S561632N-LC75

K4S561632N-LC75

Halbleiter von Samsung
TDA8927J

TDA8927J

NXP Halbleiter
Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang II der Richtlinie 2008/57/EG erfasst und in Anhang III der Richtlinie 2008/57/EG erfasst.

Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang II der Richtlinie 2008/57/EG erfasst und in Anhang III der Richtlinie 2008/57/EG erfasst.

SanDisk
K9F1G08U0D-SCB0

K9F1G08U0D-SCB0

128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND-Flashspeicher
Halbleiter von Samsung
Der Wert der Verbrennung wird in der Tabelle 1 angegeben.

Der Wert der Verbrennung wird in der Tabelle 1 angegeben.

RFMD
2 -393225 - 1

2 -393225 - 1

Miniaturenergie-PCB RYII & RYII wieder fließend
TE-Konnektivität
2SK1830

2SK1830

Silizium-N-Kanal-MOS-FET
Toshiba
K9WBG08U1M-PIB0

K9WBG08U1M-PIB0

Halbleiter von Samsung
W9712G6JB-25

W9712G6JB-25

2M × 4 BANKS × 16 BIT DDR2 SDRAM
Winbond Elektronik
K9WAG08U1A-PIB0

K9WAG08U1A-PIB0

1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND-Flashspeicher
Halbleiter von Samsung
N79E8132AS16

N79E8132AS16

Nuvoton 8051 Kernel Mikrocontroller
Nuvoton Technologie
R2J20651NP

R2J20651NP

Integrierter Treiber - MOS FET (DrMOS)
Renesas Electronics
S29GL128N10TFI02

S29GL128N10TFI02

3.0 Page Mode Flash-Speicher mit 110 nm MirrorBitTM-Prozesstechnologie
Spansion / Zypressen
K9F2G08U0C-SIB0

K9F2G08U0C-SIB0

2 GB C-Die NAND Flash
Halbleiter von Samsung
K9F2G08U0C-SCB0

K9F2G08U0C-SCB0

2 GB C-Die NAND Flash
Halbleiter von Samsung
SII9287BCNU

SII9287BCNU

HDMI-Port-Prozessor mit InstaPort-Viewing-Technologie
Halbleiter mit Gitter
LR38603A

LR38603A

Digitale Signalprozessor für Farb-CCD-Kameras
Sharp Mikroelektronik
PEF20532FV1.3

PEF20532FV1.3

2 Kanal-Serielloptimierte Kommunikationssteuerung
Infineon Technologies
S3C4530A01-QE80

S3C4530A01-QE80

Ein 16/32-Bit-RISC-Mikrocontroller ist ein kostengünstiger, leistungsstarker Mikrocontroller
Halbleiter von Samsung
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