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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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B120-13-F |
Diode Schottky 20V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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FFPF30UA60S |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht ausreichend ist.
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Einheitlich
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PMEG3010AESBYL |
Diode SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
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Nexperia USA Inc.
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FMD-G26S |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht ausreichend ist.
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Sanken Electric USA Inc.
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SARS01V1 |
Diode GEN PURP 800V 1,2A axiale
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Sanken Electric USA Inc.
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BAS70.215 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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1PS76SB40,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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MBRAF3200T3G |
Diode Schottky 200V 3A SMA-FL
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Einheitlich
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1N4148W-E3-08 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS21 |
Diode GP 200V 200MA SOT23-3
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SMC-Diodenlösungen
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RB521SM-60T2R |
Diode SCHOTTKY 60V 200MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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SJPX-F2VR |
Diode GEN PURP 200V 1,5A SJP
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Sanken Electric USA Inc.
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ES3D |
Diode GEN PURP 200V 3A SMC
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Einheitlich
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BY133 |
Diode GEN PURP 1,3 KV 1A DO41
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SMC-Diodenlösungen
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1PS76SB10,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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1SS355VMTE-17 |
Diode GEN PURP 80V 100MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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RB531SM-30T2R |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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MURS160-E3/52T |
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB510SM-40FHT2R |
Diode SCHOTTKY 40V 100MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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LL4148-GS08 |
DIODEN-GEN PURP 75V 300MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SIR681DP-T1-RE3 |
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
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Vishay Siliconix
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IRF820PBF |
MOSFET N-CH 500V 2,5A TO220AB
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Vishay Siliconix
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 200V 2,6A PPAK SC70
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Vishay Siliconix
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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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GS1M |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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BAT43WS-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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bss84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
MOSFET P-CH 40V 2,7A/3,6A SOT23
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Vishay Siliconix
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RB160M-30TR |
Diode SCHOTTKY 30V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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APT60D60BG |
Diode GP 600V 60A bis 247
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Mikrochiptechnik
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften des Anhangs 1 ist die Prüfung der Einhaltung der Vorschriften des Anhangs 2 vorzunehmen. |
Diode SCHOTTKY 40V 8A Leistung
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Mikrochiptechnik
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1N4148UR-1 |
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
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Mikrochiptechnik
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PDS3200-13 |
Diode Schottky 200V 3A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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LSM115JE3/TR13 |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Mikrochiptechnik
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BUK7M33-60EX |
MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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FSV15150V |
Diode Schottky 150V 15A TO277-3
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Einheitlich
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SL44-E3/57T |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR10U200P5-13 |
Dies ist der Fall, wenn die Leistung von SBR 200V 10A ist.
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Dioden eingebunden
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V12P10-M3/86A |
Diode Schottky 100V 12A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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15SQ045 |
Diode Schottky 45V 15A R-6
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SMC-Diodenlösungen
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V8P10-M3/86A |
Diode Schottky 100V 8A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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PMXB120EPEZ |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
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Nexperia USA Inc.
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PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1,5A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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RK7002BMHZGT116 |
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
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Rohm Halbleiter
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SBR10U45SP5-13 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Dioden eingebunden
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Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Anwendungsbereichs wird in der Angabe des Anwendungsbereichs erfolgen. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt. |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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PMV37ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 3.5A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV40UN2R |
MOSFET N-CH 30V 3.7A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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