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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MBRS330T3G |
Diode SCHOTTKY 30V 3A SMC
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Einheitlich
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BAS16J,115 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Nexperia USA Inc.
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1SS400SMT2R |
Diode GEN PURP 80V 100MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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MBRS360T3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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BAT54WS-7-F |
Diode SCHOTTKY 30V 100MA SOD323
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Dioden eingebunden
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S1G-13-F |
Diode GEN PURP 400V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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BAT720.215 |
Die Schottky-Diode 40V 500MA ist auf 236AB.
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Nexperia USA Inc.
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RB521S30T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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BAT-AELs für die Berechnung der CO2-Emissionen |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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MMBD4148-7-F |
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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MURA160T3G |
Diode GEN PURP 600V 1A SMA
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Einheitlich
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LL4148 |
DIODEN-GEN PURP 100V 200MA SOD80
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Einheitlich
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MBRS140T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A SMB
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Einheitlich
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B220A-13-F |
Diode Schottky 20V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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MBRM140T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A Leistung
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Panjit International Inc.
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PMEG2005EGWX |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
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Nexperia USA Inc.
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LS4148-GS08 |
Diode GEN PURP 75V 150MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Panjit International Inc.
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BAS21HT1G |
Diode GEN PURP 250V 200MA SOD323
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Einheitlich
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APT60DQ60BG |
Diode GP 600V 60A bis 247
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Mikrochiptechnik
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FSV12100V |
Diode SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
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Einheitlich
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FSV10100V |
Diode SCHOTTKY 100V 10A TO277-3
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Einheitlich
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MBRS540T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
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Einheitlich
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MBRA210LT3G |
Diode Schottky 10V 2A SMA
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Einheitlich
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SK26 |
Diode SCHOTTKY 60V SMB
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SMC-Diodenlösungen
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B560C-13-F |
Diode SCHOTTKY 60V 5A SMC
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Dioden eingebunden
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DFLR1200-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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MBRM120LT1G |
Schottische Diode 20V 1A Leistung
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Einheitlich
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MURA210T3G |
Diode GEN PURP 100V 2A SMA
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Einheitlich
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B360BQ-13-F |
Diode SCHOTTKY 60V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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RB551VM-30TE-17 |
Diode SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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MURS220T3G |
Diode GEN PURP 200V 2A SMB
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Einheitlich
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MBR130LSFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MURA220T3G |
Diode GEN PURP 200V 2A SMA
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Einheitlich
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ES1F |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MBR0540T1G |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Einheitlich
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RB520S30T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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SB2100 |
Diode SCHOTTKY 100V DO15
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SMC-Diodenlösungen
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B0530WS-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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B0540WS-7 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Dioden eingebunden
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S1G-E3/61T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB162MM-40TR |
Diode SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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PMEG6010CEGWX |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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BAT46JFILM |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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STMikroelektronik
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SDM05U40CSP-7 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Dioden eingebunden
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Das ist BAS416.115 |
Diode GEN PURP 75V 200MA SOD323
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Nexperia USA Inc.
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SDMK0340L-7-F |
Diode SCHOTTKY 40V 30MA SOD323
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Dioden eingebunden
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RB521CM-30T2R |
Diode SCHOTTKY 30V 100MA VMN2M
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Rohm Halbleiter
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1PS76SB21.115 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Nexperia USA Inc.
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