V12P10-M3/86A
fabricant:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
Diode Schottky 100V 12A bis 277A
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
250 μA @ 100 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
700 mV @ 12 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
eSMP®, TMBS®
Kapazität @ Vr, F:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Zulassung wird von der Zulassungsbehörde erfolgen.
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden von den zuständigen Behörden der Mitgliedstaaten übermittelt.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
12A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
V12P10
Einleitung
Diode 100 V 12A Oberflächenbefestigung TO-277A (SMPC)
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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VS-60EPF04-M3 |
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugvertrieb. |
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
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