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Getrennte Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IXBH12N300 |
IGBT-Transistoren
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Transistoren 2500V/95A, HV XPT IGBT-Copacked
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IXYS
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IKW75N65ES5 |
IGBT-Transistoren Trenchstop 5
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Infineon Technologies
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IXBK55N300 |
IGBT-Transistoren
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IXYS
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IKW40N120T2 |
IGBT-Transistoren mit niedrigem Verlust
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Infineon Technologies
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FZ1600R17HP4 |
IGBT-Module IGBT 1700V 1600A
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Infineon Technologies
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FNA41560B2 |
IGBT-Module Smart Power Module Bewegung-SPM
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Fairchild Halbleiter
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FF650R17IE4 |
IGBT-Module N-CH 1,7 KV 930A
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in der Fassung der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu erstellen. |
IGBT-Module 1200V 450A in drei Phasen
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Infineon Technologies
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FSAM30SH60A |
IGBT-Module 600V/30A/SPM2
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Fairchild Halbleiter
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IXGH60N60C3D1 |
IGBT-Module 60 Ampere 600 V
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IXYS
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FP75R12KT4 |
IGBT-Module 1,85 V IGBT 4 PIM
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Infineon Technologies
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FF1000R17IE4 |
IGBT-Module N-CH 1,7 KV 1,39KA
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Infineon Technologies
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FF300R17KE3 |
IGBT-Module N-CH 1,7 KV 404A
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Infineon Technologies
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FF900R12IE4 |
IGBT-Module IGBT 1200V 900A
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Infineon Technologies
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FP100R12KT4 |
IGBT-Module IGBT-Module
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
IGBT-Module IGBT 1700V 1200A
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Infineon Technologies
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FF600R17ME4 |
IGBT-Module EconoDUAL 3 1700V Doppel-IGBT-Modul mit Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter-gesteuerter Diod
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Infineon Technologies
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VUB145-16NOXT |
IGBT-Module 3-Phasen-Gleichmachbrücke mit IGBT
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IXYS
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AUIRGDC0250 |
IGBT 1200V 141A 543W bis 220
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Module N-CH 600V 37A
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in der Lage, |
IGBT-Module N-CH 1,2 KV 100A
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Infineon Technologies
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Die Genehmigung für die Verwendung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind, wird von der Kommission erteilt. |
IGBT-Module IGBT-Module 650V 150A
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Infineon Technologies
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FP100R06KE3 |
IGBT-Module N-CH 600V 100A
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Infineon Technologies
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FF150R12KS4 |
IGBT-Module 1200V 150A DUAL
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Infineon Technologies
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FF450R12KT4 |
IGBT-Module N-CH 1.2KV 580A
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Infineon Technologies
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IKQ100N60T |
IGBT 600V TO247-3
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Infineon Technologies
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FNA22512A |
IGBT-Module 1200V 25A Wechselrichter Smart Power Modul
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Fairchild Halbleiter
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FF200R12KT4 |
IGBT-Module N-CH 1,2 KV 320A
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Infineon Technologies
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FF600R12ME4 |
IGBT-Module IGBT 1200V 600A
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Infineon Technologies
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2MBI200U4H-120 |
IGBT-Modul
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Fuji Elektrik
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2SB1184TLQ |
Bei der Erstellung von Bipolartransistoren - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
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Rohm Halbleiter
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NJVNJD2873T4G |
Bipolare Transistoren - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
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Einheitlich
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ZXTN649FTA |
Bipolare Transistoren - BJT Zetex Med. Power
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Dioden eingebunden
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2SA1900T100Q |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 50V 1A SO-89
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Rohm Halbleiter
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DSA200200L |
Bipolare Transistoren - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2,9x2,8 mm
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Panasonics
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DSA7101R0L |
Bipolare Transistoren - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4,5x4,0 mm
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Panasonics
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2SC2412KT146R |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 0,15A
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Rohm Halbleiter
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2SB1205T-TL-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 5A 20V
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Einheitlich
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FCX495TA |
Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
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Dioden eingebunden
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2SC5200-O (Q) |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 230V 15A
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Toshiba
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BCW66HTA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN mit niedriger Sättigung
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Dioden eingebunden
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MMBT3906-7-F |
Bipolare Transistoren - BJT 40V 300mW
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Dioden eingebunden
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Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindungen ist in der Angabe des Zustands der Zellstoffverbindungen anzugeben. |
Bipolare Transistoren - BJT 40V 150mW
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Dioden eingebunden
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FZT651TA |
Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
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Dioden eingebunden
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FZT857TA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochspannung
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Dioden eingebunden
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ZXTN2010ZTA |
Bipolare Transistoren - BJT 60V NPN Med Power
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Dioden eingebunden
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PZT2222AT1G |
Bipolare Transistoren - BJT 600mA 75V NPN
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Einheitlich
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MJD45H11-1G |
Bipolare Transistoren - BJT 8A 80V 20W PNP
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Einheitlich
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MMBTA42-7-F |
Bipolare Transistoren - BJT 300V 300mW
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Dioden eingebunden
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