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Getrennte Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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PZTA42T1G |
Bipolare Transistoren - BJT 500mA 300V NPN
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Einheitlich
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2SD1918TLQ |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 160V 1,5A
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Rohm Halbleiter
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2SC4081T106R |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 0,15A SOT-323
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Rohm Halbleiter
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DSC5002R0L |
Bipolare Transistoren - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2,0x2,1 mm
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Panasonics
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BCX51TA |
Bipolare Transistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
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Dioden eingebunden
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2SB1386T100Q |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 20V 5A
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Rohm Halbleiter
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2SA2094TLQ |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN
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Rohm Halbleiter
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2SB1121T-TD-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 2A 25V
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Einheitlich
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2SC4617 |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 0,15A SOT-416
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Rohm Halbleiter
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2SB1202T-TL-E |
Bipolare Transistoren - Niedrigsättigungsspannung BJT
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Einheitlich
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2SA2039-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 5A 50V
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Einheitlich
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PBSS4350X,115 |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 3A
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Nexperia
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DSC5001R0L |
Bipolare Transistoren - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2,0x2,1 mm
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Panasonics
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2SD1623S-TD-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP NPN 2A 50V
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Einheitlich
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FMMT591TA |
Bipolare Transistoren - BJT PNP mittlere Leistung
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Dioden eingebunden
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2SB1198KT146Q |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 80V 0,5A
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Rohm Halbleiter
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Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Bipolare Transistoren - BJT 40V 300mW
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Dioden eingebunden
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2SD1781KT146R |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 32V 0,8A
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Rohm Halbleiter
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2SC2411KT146Q |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 32V 0,5A
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Rohm Halbleiter
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2SA1774TLQ |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 50V 0,15A SOT-416
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Rohm Halbleiter
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BSS64.215 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS HV TAPE-7
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Nexperia
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PHPT60603NYX |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochleistungs-Bipolartransistor
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Nexperia
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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt. |
Bipolare Transistoren - BJT NPN BIPOLAR
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Dioden eingebunden
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MJF45H11G |
Bipolare Transistoren - BJT 10A 80V 50W PNP
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Einheitlich
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Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen: |
Bipolare Transistoren - BJT SS NPN 300mW
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Dioden eingebunden
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MMBT5401-7-F |
Bipolare Transistoren - BJT SS PNP 300 mW
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Dioden eingebunden
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BC857W,115 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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FZT1049ATA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochgewinn & Crnt
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Dioden eingebunden
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PBSS8110T,215 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS BISS TAPE-7
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Nexperia
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2SB1203S-TL-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 5A 50V
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Bipolare Transistoren - BJT 100V NPN niedrig VCE ((SAT) TRA
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Einheitlich
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FMMT619TA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN SuperSOT
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Dioden eingebunden
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FMMT596TA |
Bipolare Transistoren - BJT PNP mittlere Leistung
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Dioden eingebunden
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PHPT61003PYX |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochleistungs-Bipolartransistor
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Nexperia
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BC807,215 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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BCX51-16.115 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
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Nexperia
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FMMT618TA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN SuperSOT
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Dioden eingebunden
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ZXTN25100BFHTA |
Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
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Dioden eingebunden
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FMMT458TA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochspannung
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Dioden eingebunden
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DNBT8105-7 |
Bipolare Transistoren - BJT 1A
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Dioden eingebunden
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MMBT3904215 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS SW TAPE-7
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Nexperia
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Trans/Switch Diode-Relay Drvr
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Dioden eingebunden
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ZXTP19060CFFTA |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 60V Transistor
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Dioden eingebunden
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MJD44H11G |
Bipolare Transistoren - BJT 8A 80V 20W NPN
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Einheitlich
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2SC5964-TD-E |
Bipolare Transistoren - BJT-Hochstromschalter
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Einheitlich
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BC857B,215 |
Bipolare Transistoren - BJT PNP GP 100MA 45V
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Nexperia
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ZXTP2041FTA |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 40V 1A 3-PIN
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Dioden eingebunden
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FMMT493TA |
Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
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Dioden eingebunden
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BC846BW,115 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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MJ15024G |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W durch Loch TO-204 (TO-3)
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Einheitlich
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