FSAM30SH60A
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Module 600V/30A/SPM2
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
250 MA
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
30 A
Pd - Energieverschwendung:
62 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
SPM32-AA
Verpackung:
Schlauch
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,5 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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