Die Ausrüstung ist in der Fassung der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu erstellen.
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 450A in drei Phasen
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
600 A
Pd - Energieverschwendung:
2100 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
EconoPACK+
Höchstbetriebstemperatur:
+ 125 °C
Ausstattung:
Hex
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,15 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
Die FS450R12KE3 von Infineon Technologies sind IGBT-Module. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorrichtungen zu verwenden.
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