FP100R06KE3
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT-Module N-CH 600V 100A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
100 A
Pd - Energieverschwendung:
335 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
Wirtschaft 3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
Reihe 7
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,9 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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