FF600R12ME4
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT-Module IGBT 1200V 600A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
995 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Pd - Energieverschwendung:
4050 W
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
Zweifach
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,1 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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