Die Genehmigung für die Verwendung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind, wird von der Kommission erteilt.
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT-Module IGBT-Module 650V 150A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
150 A
Pd - Energieverschwendung:
335 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
Modul
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
IGBT-Wechselrichter
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,45 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
Die F3L150R07W2E3_B11, von Infineon Technologies, sind IGBT-Module. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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