FP75R12KT4
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT-Module 1,85 V IGBT 4 PIM
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
150 A
Pd - Energieverschwendung:
385 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
Wirtschaft 3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
3 Phasen
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,25 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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Die Fahrzeuge dürfen nicht mehr als zwei Jahre alt sein, wenn sie nicht mehr als drei Jahre alt sind.
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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