IXGH60N60C3D1
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Module 60 Ampere 600 V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Module
Pd - Energieverschwendung:
380 W
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Verpackung:
Schlauch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
75 A
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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