FF200R12KT4
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT-Module N-CH 1,2 KV 320A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Module
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
62 Millimeter
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Ausstattung:
Zweifach
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
320 A
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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