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FETs, MOSFETs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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bss84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
MOSFET P-CH 40V 2,7A/3,6A SOT23
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Vishay Siliconix
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BUK7M33-60EX |
MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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PMXB120EPEZ |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
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Nexperia USA Inc.
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PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1,5A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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RK7002BMHZGT116 |
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
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Rohm Halbleiter
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Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Anwendungsbereichs wird in der Angabe des Anwendungsbereichs erfolgen. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt. |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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PMV37ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 3.5A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV40UN2R |
MOSFET N-CH 30V 3.7A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV20ENR |
MOSFET N-CH 30V 6A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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DMG1013T-7 |
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
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Dioden eingebunden
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
FET RF 2CH 65V 1,91 GHz NI780S-4
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NXP USA Inc.
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MRF8P9040NR1 |
Wir haben die Möglichkeit, die Daten zu übertragen.
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NXP USA Inc.
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MRF9045LR1 |
FET RF 65V 945 MHz NI-360
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NXP USA Inc.
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MRF6S19100HR3 |
FET RF 68V 1,99 GHz NI-780
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NXP USA Inc.
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MRF7S15100HR3 |
FET RF 65V 1,51 GHz NI780
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NXP USA Inc.
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Einheit für die Berechnung der Emissionsmengen |
FET RF 66V 880MHZ NI-780
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NXP USA Inc.
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MMBF4416 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Einheitlich
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MRF282ZR1 |
Fet-RF 65V 2GHZ NI-200Z
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NXP USA Inc.
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MRF6VP3450HR6 |
Fet-RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt. |
Fet-RF 110V 220MHZ TO-270-4
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NXP USA Inc.
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MRF1517NT1 |
Fet-RF 25V 520MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRF1513NT1 |
Fet-RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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PD84001 |
FET RF 18V 870 MHz
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STMikroelektronik
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PD85004 |
Fet-RF 40V 870MHZ
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STMikroelektronik
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MRF1511NT1 |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRFE6S9045NR1 |
Fet-RF 66V 880MHZ TO-270-2
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NXP USA Inc.
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MRF1518NT1 |
Fet-RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRF8P29300HR6 |
Fet-RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
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NXP USA Inc.
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DU28200M |
MOSFET, 200W, 28V, 2 bis 175
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MACOM Technologielösungen
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NE3515S02-T1C-A |
HJ: Übermäßig geräuscharmer
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CEL
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PD55003-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO10
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STMikroelektronik
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MRFE6VP61K25HR5 |
Fet-RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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VRF2933MP |
MOSFET-Hochfrequenz-N-Kanal 50V M177
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Mikrochiptechnik
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VRF151 |
Mosfet-Rf PWR N-CH 50V 150W M174
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Mikrochiptechnik
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MRFE6VP5600HR6 |
Fet-RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
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NXP USA Inc.
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MW6S010NR1 |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
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NXP USA Inc.
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MRF6VP3450HR5 |
Fet-RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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AFT09MS031NR1 |
Fet-RF 40V 870MHZ TO-270-2
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NXP USA Inc.
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MRFE6VP100HR5 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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NXP USA Inc.
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MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
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NXP USA Inc.
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ARF460AG |
FET RF N-CH 500V 14A TO247
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Mikrochiptechnik
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AFT27S006NT1 |
Wird die Leistung von LDMOS 28V PLD1.5W
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NXP USA Inc.
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MRFE6VP6300HR5 |
Fet-RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
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NXP USA Inc.
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PD55003L-E |
TRANSISTOR-RF 5X5 POWERFLAT
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STMikroelektronik
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Einheit für die Berechnung der Zulassung |
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
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NXP USA Inc.
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PD55003TR-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMikroelektronik
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