Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
FET RF 2CH 65V 1,91 GHz NI780S-4
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Ausstattung:
Zweifach
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-780S-4L
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
1.88 GHz ~ 1.91 GHz
Gewinn:
16 dB
Packung / Gehäuse:
NI-780S-4L
Gegenwärtig - Test:
500 MA
Leistung - Leistung:
24W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
Die Bezeichnung des Herstellers ist:
Einleitung
RF Mosfet 28 V 500 mA 1,88 GHz ~ 1,91 GHz 16 dB 24W NI-780S-4L
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Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Fahrzeuge |
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