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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die Kommission wird die folgenden Informationen über die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 aufgeführten Maßnahmen erfassen: |
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
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Rohm Halbleiter
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DMP6180SK3Q-13 |
MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
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Dioden eingebunden
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IRF640SPBF |
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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Vishay Siliconix
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SQ2351ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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IRFB4410ZPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
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Infineon Technologies
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IRF830PBF |
MOSFET N-CH 500V 4,5A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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BUK6D43-40PX |
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
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Nexperia USA Inc.
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IRF730PBF |
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
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Vishay Siliconix
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SIR668ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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PMV20XNER |
MOSFET N-CH 30V 5.7A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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SI3456DDV-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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PMV50XPR |
MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BST82.215 |
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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RQ5E025ATTCL |
MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
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Rohm Halbleiter
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PMV30XPEAR |
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BSH111BKR |
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV16XNR |
MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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NX138AKR |
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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NTA4153NT1G |
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
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Einheitlich
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RK7002BMT116 |
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
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Rohm Halbleiter
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2SK3018T106 |
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
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Rohm Halbleiter
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IXTK200N10L2 |
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
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Vishay Siliconix
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DMP2045U-7 |
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
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Dioden eingebunden
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BSS138AKAR |
MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV164ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
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Rohm Halbleiter
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BUK9M9R5-40HX |
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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IXTA44P15T |
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
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IXYS
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BSN20BKR |
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BUK9875-100A/CUX |
MOSFET N-CH 100V 7A SOT223
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Nexperia USA Inc.
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IRFL110TRPBF |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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Vishay Siliconix
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IRFP450PBF |
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
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Vishay Siliconix
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PMZ290UNE2YL |
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
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Nexperia USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung von Zertifikaten. |
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
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IXYS
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IXFK48N50 |
MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
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IXYS
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DMN62D0U-13 |
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
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Dioden eingebunden
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Siehe Anhang I Nummer 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009. |
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
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Vishay Siliconix
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NX7002BKMYL |
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
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Nexperia USA Inc.
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SI1499DH-T1-E3 |
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
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Vishay Siliconix
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IXFH26N50P |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXYS
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FDB5800 |
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
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Einheitlich
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IRFD110PBF |
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
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Vishay Siliconix
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IXTA26P20P-TRL |
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD
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IXYS
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Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen für die Beförderung von Personen |
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
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Rohm Halbleiter
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DMN6068LK3-13 |
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
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Dioden eingebunden
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IRFP350PBF |
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
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Vishay Siliconix
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