Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 3.33mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
156mOhm @ 6.7A, 18V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
Paket:
Schlauch
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (maximal):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
460 PF @ 500 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
Power Dissipation (Max):
103W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3120
Einleitung
N-Kanal 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) durch Loch TO-247N
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