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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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CPC-3703CTR |
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
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IXYS-Abteilung für integrierte Schaltungen
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Siehe Abschnitt 3. |
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
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Vishay Siliconix
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IXTA76P10T |
MOSFET P-CH 100V 76A TO263
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IXYS
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IXTP76P10T |
MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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IXFA22N65X2 |
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
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IXYS
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Die Bezeichnung ist: |
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
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STMikroelektronik
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IRFL9014TRPBF |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
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Vishay Siliconix
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TP0610K-T1-E3 |
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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SI4431BDY-T1-E3 |
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
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Vishay Siliconix
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DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
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Dioden eingebunden
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CPC 5602CTR |
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
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IXYS-Abteilung für integrierte Schaltungen
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SQS401EN-T1_BE3 |
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix
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SUM110P04-05-E3 |
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
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Vishay Siliconix
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IXTY01N100 |
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
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IXYS
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PMV30UN2R |
MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Produkte. |
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix
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DMP3098LQ-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die Bezeichnung "B" ist die Bezeichnung, die für die Bezeichnung "B" gilt. |
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
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STMikroelektronik
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SUM110N10-09-E3 |
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
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Vishay Siliconix
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FDMS86101DC |
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
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Einheitlich
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ZXMP10A17E6TA |
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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RUR040N02TL |
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
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Rohm Halbleiter
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SI2302CDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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BSS84AK,215 |
MOSFET P-CH 50V 180MA bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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PMV65XPEAR |
MOSFET P-CH 20V 2.8A bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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SI1416EDH-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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BSH205G2R |
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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SI2309CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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SI2301CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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PJA3441-AU_R1_000A1 |
SOT-23, MOSFET
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Panjit International Inc.
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SIR882ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Anforderungen. |
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Zulassung von Fahrzeugen. |
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
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Vishay Siliconix
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PMV45EN2R |
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BSS138PW,115 |
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
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Nexperia USA Inc.
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BSH103.215 |
MOSFET N-CH 30V 850MA bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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2N7002ET1G |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
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Einheitlich
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BSS138-7-F |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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DMP3098L-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
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Rohm Halbleiter
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Si1012CR-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V SC75A
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Vishay Siliconix
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Die Bezeichnung der Beförderung ist: |
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 erfasst. |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix
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SSM3J332R, LF |
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
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Toshiba Halbleiter und Speicher
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2N7002K-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
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Vishay Siliconix
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