2SK3018T106
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Not For New Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 100μA
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13 pF @ 5 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Supplier Device Package:
UMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8Ohm @ 10mA, 4V
Mfr:
Rohm Semiconductor
Operating Temperature:
150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4V
Power Dissipation (Max):
200mW (Ta)
Package / Case:
SC-70, SOT-323
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
2SK3018
Einleitung
N-Kanal 30 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Oberflächenhalter UMT3
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