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Die Kommission wird die folgenden Informationen über die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 aufgeführten Maßnahmen erfassen:

fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
3-SMD, Flat Leads
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39 mOhm @ 3A, 4,5 V
FET Type:
P-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1,5 V, 4,5 V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±10V
Produktstatus:
Aktiv
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1860 pF @ 6 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TUMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
800mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RZF030
Einleitung
P-Kanal 12 V 3A (Ta) 800mW (Ta) Oberflächenhalter TUMT3
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