FDB5800
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
135 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6mOhm @ 80A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6625 pF @ 15 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
14A (Ta), 80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
242W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDB580
Einleitung
N-Kanal 60 V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK (TO-263)
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