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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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DMN65D8L-7 |
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
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Dioden eingebunden
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IXFK27N80Q |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
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IXYS
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R6042JNZ4C13 |
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
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Rohm Halbleiter
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IXTH50P10 |
MOSFET P-CH 100V 50A TO247
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IXYS
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IXTQ22N60P |
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
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Vishay Siliconix
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IXTH24P20 |
MOSFET P-CH 200V 24A TO247
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IXYS
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BUK9880-55A/CUX |
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
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Nexperia USA Inc.
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RTR025N03TL |
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
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Rohm Halbleiter
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Das System ist in der Lage, die Daten zu verarbeiten. |
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
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Rohm Halbleiter
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FDA032N08 |
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
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Einheitlich
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FDMS0312AS |
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET P-CH 100V 170A TO264
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IXYS
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IXTN30N100L |
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 300V 72A TO247
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IXYS
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IXTP80N10T |
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
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IXYS
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IXFH12N90P |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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IXYS
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R6076ENZ4C13 |
MOSFET N-CH 600V 76A bis 247
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Rohm Halbleiter
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Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009. |
MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
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Vishay Siliconix
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IXTP36P15P |
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
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IXYS
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IXTP50N25T |
MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
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IXYS
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IXTP50N20P |
MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
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IXYS
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FCPF16N60 |
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
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Einheitlich
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BUK7212-55B,118 |
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
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Nexperia USA Inc.
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FCPF11N60 |
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
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Einheitlich
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FDMS8050ET30 |
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
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IXYS
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FQA24N60 |
MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
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Einheitlich
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IXTQ460P2 |
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
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IXYS
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BUK7M6R3-40EX |
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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BUK9Y38-100E,115 |
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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BUK9M24-40EX |
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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BUK7Y3R5-40HX |
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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RQ3L090GNTB |
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
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Rohm Halbleiter
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IRFR210TRPBF |
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
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Vishay Siliconix
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PMV230ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BUK6Y61-60PX |
MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
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IXYS
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IXTT90P10P |
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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IXTA36N30P |
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
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IXYS
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FDPF20N50FT |
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
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Einheitlich
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Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte |
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
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IXYS
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STP4NK60ZFP |
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
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STMikroelektronik
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IXFK140N30P |
MOSFET N-CH 300V 140A bis 264AA
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IXYS
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IRF740STRLPBF |
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
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Vishay Siliconix
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FDP3682 |
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
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Einheitlich
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