Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Not For New Designs
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15 pF @ 25 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Supplier Device Package:
EMT3F (SOT-416FL)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Mfr:
Rohm Semiconductor
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Power Dissipation (Max):
150mW (Ta)
Package / Case:
SC-89, SOT-490
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
250mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RE1L002
Einleitung
N-Kanal 60 V 250 mA (Ta) 150 mW (Ta) Oberflächenbefestigung EMT3F (SOT-416FL)
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
RUM003N02T2L
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RD3P130SPTL1
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Das System ist in der Lage, die Daten zu verarbeiten.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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RSD050N10TL |
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Das System ist in der Lage, die Daten zu verarbeiten. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
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RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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