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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IRFP4768PBF |
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
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Infineon Technologies
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IRFP4568PBF |
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
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Infineon Technologies
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IXTQ200N10T |
MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
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IXYS
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FCP104N60F |
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
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Einheitlich
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IXTQ130N10T |
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
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IXYS
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FQA8N100C |
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
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Einheitlich
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STFW3N150 |
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
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STMikroelektronik
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IRFB4332PBF |
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
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Infineon Technologies
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HUF75345G3 |
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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Nexperia USA Inc.
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FDB2614 |
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
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Einheitlich
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FDP150N10 |
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
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Einheitlich
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mit einer Breite von mehr als 10 mm,127 |
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
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Nexperia USA Inc.
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FQPF6N80C |
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
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Einheitlich
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IRFS9N60ATRLPBF |
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
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Vishay Siliconix
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FQP6N80C |
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
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Einheitlich
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SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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Vishay Siliconix
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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Vishay Siliconix
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SI7439DP-T1-E3 |
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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FQP17P06 |
MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
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Einheitlich
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FQPF19N20C |
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
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Einheitlich
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FQB5N90TM |
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
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Einheitlich
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FDMS86103L |
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
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Einheitlich
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IRFU420PBF |
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
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Vishay Siliconix
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SI7135DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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FQB19N20LTM |
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
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Einheitlich
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NVMFS5C670NLWFAFT1G |
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
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STMikroelektronik
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NVMFS5C460NLWFAFT1G |
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
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Einheitlich
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SIR872ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SI7456CDP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SIR690DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SQJ431AEP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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FDS4672A |
MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
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Einheitlich
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SI7463ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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BUK7Y7R0-40HX |
MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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SISS71DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
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Vishay Siliconix
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BUK7M10-40EX |
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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Die Zulassung ist abgeschlossen. |
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
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Einheitlich
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BUK9Y65-100E,115 |
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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SQJA68EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET N-CH 100V 1,15A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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BUK9Y107-80EX |
MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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FQD13N06LTM |
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Anforderungen. |
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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DMTH6016LPSQ-13 |
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
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Dioden eingebunden
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ZXMN6A07FTA |
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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