Nachricht senden
Haus > produits > Getrennte Halbleiter-Produkte > Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Anforderungen.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Anforderungen.

fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
77mOhm @ 3.1A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
595 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Reihe:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.4A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
1.25 W (Ta), 2,5 W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Basisproduktnummer:
SI2319
Einleitung
P-Kanal 40 V 4.4A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: