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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FQA70N15 |
MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN
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Einheitlich
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FQA30N40 |
MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
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Einheitlich
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FDPF16N50T |
MOSFET N-CH 500V 16A TO220F
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Einheitlich
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FQB34N20LTM |
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
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Einheitlich
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FDPF12N50UT |
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
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Einheitlich
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FDP8N50NZ |
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
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Einheitlich
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FQP19N20C |
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
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Einheitlich
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FQPF4N90C |
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
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Einheitlich
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FQP85N06 |
MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
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Einheitlich
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FQPF11P06 |
MOSFET P-CH 60V 8,6A bis 220F
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Einheitlich
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FDD9507L-F085 |
MOSFET P-CH 40V 100A DPAK
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Einheitlich
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FQB33N10LTM |
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
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Einheitlich
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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Vishay Siliconix
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FDS5680 |
MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
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Einheitlich
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BUK7Y22-100EX |
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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FQD7N30TM |
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
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Einheitlich
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FQD10N20LTM |
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
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Einheitlich
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Rohm Halbleiter
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FDT3N40TF |
MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
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Einheitlich
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FDC3535 |
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
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Einheitlich
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PMV27UPEAR |
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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Rohm Halbleiter
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IXTH1N250 |
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
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IXYS
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IXTH24N50L |
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
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IXYS
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IXTK150N15P |
MOSFET N-CH 150V 150A TO264
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 300V 86A bis 247AD
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IXYS
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IRFP4668PBF |
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
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IXYS
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Stellvertretung für die Überwachung der Sicherheit |
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
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STMikroelektronik
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FDB3652 |
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
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Einheitlich
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PSMN8R7-100YSFX |
PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
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Nexperia USA Inc.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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IPP60R380E6 |
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
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Infineon Technologies
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IPW60R120P7 |
MOSFET mit N-Kanal-Leistung
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Infineon Technologies
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
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Einheitlich
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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TK8S06K3L(T6L1,NQ) |
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
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Toshiba Halbleiter und Speicher
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DMTH43M8LFGQ-13 |
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
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Dioden eingebunden
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DMP4015SPSQ-13 |
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
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Dioden eingebunden
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Rohm Halbleiter
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ZXMP6A13FTA |
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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DMG301NU-7 |
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
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IXYS
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IXFX66N85X |
MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
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IXYS
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IXFK94N50P2 |
MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA
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IXYS
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IXFX44N80P |
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
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IXYS
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