BUK9Y107-80EX
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.2 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
98mOhm @ 5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (maximal):
±10V
Product Status:
Active
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
706 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
37W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK9Y107
Einleitung
N-Kanal 80 V 11.8A (Tc) 37W (Tc) Oberflächenhalter LFPAK56, Power-SO8
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