SIR690DP-T1-GE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
37 nC @ 7.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
7.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Produktstatus:
Aktiv
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1935 pF @ 100 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Series:
ThunderFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
34.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR690
Einleitung
N-Kanal 200 V 34,4 A (Tc) 104 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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