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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IRF7342TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3,4A
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IR / Infineon
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FDG6332C |
MOSFET 20V N&P-Kanal-Leistungsgraben
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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SIRA14DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV
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Vishay Halbleiter
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SI1050X-T1-GE3 |
MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V
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Vishay Halbleiter
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IRFBC40PBF |
MOSFET N-Chan 600V 6,2 Ampere
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Vishay Halbleiter
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SI9926CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 8,0A 3,1W 18mohm @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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MTI85W100GC |
MOSFET 3-Phase Vollbrücke mit Trench-MOSFETs
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IXYS
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FDS6680AS |
MOSFET 30V N-Kanal-PowerTrench SyncFET
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Fairchild Halbleiter
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SI9435BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 5,7A 0,042 Ohm
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Vishay Halbleiter
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ZXMP4A16GTA |
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
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Dioden eingebunden
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Einheitliche Prüfungen |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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IRL7486MTRPBF |
Einzelner N-Kanal HEXFET MOSFET 40V
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IR / Infineon
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SPW32N50C3 |
MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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FCH76N60NF |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
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Fairchild Halbleiter
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IRFP27N60KPBF |
MOSFET N-Chan 600V 27 Ampere
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Vishay Halbleiter
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IPW65R080CFD |
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2
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Infineon Technologies
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IPW60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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Einheit für die Bereitstellung von Daten |
MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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FDA50N50 |
MOSFET 500V NCH MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
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Fairchild Halbleiter
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FDD86540 |
MOSFET 60V 50A 4,1 Ohm NCh PowerTrench MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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BSC014N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Infineon Technologies
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SIA906EDJ-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4,5A 7,8W 46mohm @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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PMV213SN215 |
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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Nexperia
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BSS138PS, 115 |
MOSFET N-CH 60 V 320 mA
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Nexperia
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BSC014N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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FDY1002PZ |
MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
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Einheitlich
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FDMB3800N |
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
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Einheitlich
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FDD8424H |
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
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Einheitlich
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IRF7341TRPBF |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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FDS89161 |
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
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Einheitlich
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FDMQ8403 |
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
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Einheitlich
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DMN26D0UDJ-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
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Dioden eingebunden
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DMG1024UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
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Dioden eingebunden
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DMC3021LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
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Dioden eingebunden
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FDS9926A |
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
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Einheitlich
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IRF7317TRPBF |
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
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Infineon Technologies
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NTHD4102PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
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Einheitlich
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DMP3036SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 10,6A 8-SO
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Dioden eingebunden
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FDS6898AZ |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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Einheitlich
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FDMS3660S |
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
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Einheitlich
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IRF7380TRPBF |
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
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Einheitlich
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DMC2400UV-7 |
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
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Dioden eingebunden
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DMG6601LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
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Dioden eingebunden
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NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
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Einheitlich
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NDC7002N |
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
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Einheitlich
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DMN5L06DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
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Dioden eingebunden
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