DMG6601LVT-7
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
TSOT-26
Produktkategorie:
MOSFET
Factory Stock:
0
Minimale Quantität:
3000
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
422pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
3.8A, 2.5A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N und P-Kanal
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
12.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55 mOhm @ 3,4A, 10V
Leistung - Max.:
850 mW
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Reihe:
-
Hersteller:
Dioden eingebunden
Einleitung
Der DMG6601LVT-7, von Diodes Incorporated, ist MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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