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fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
P-Kanal
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
- 20 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
- 1 V
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
- 6 A
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
47.4 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
8 V
Qg - Tor-Gebühr:
nC 12,8
Hersteller:
Toshiba
Einleitung
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