IRF7342TRPBF
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
P-Kanal
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Montageart:
SMD/SMT
Packung / Gehäuse:
SO-8
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
- 55 V
Verpackung:
Spirale
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
- 3,4 A
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
105 mOhms
Anzahl der Kanäle:
2 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
26 nC
Hersteller:
IR / Infineon
Einleitung
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