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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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2SB1694T106 |
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Rohm Halbleiter
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NJW0281G |
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Einheitlich
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FZT751TA |
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Dioden eingebunden
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FF300R12KS4 |
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Infineon Technologies
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D45H8G |
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Einheitlich
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2SD1815S-TL-E |
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Einheitlich
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2SC5569-TD-E |
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Einheitlich
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BC846B,235 |
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Nexperia
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2SA1708S-AN |
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Einheitlich
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FZT855TA |
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
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Dioden eingebunden
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FZT951TA |
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Dioden eingebunden
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BCP56-16.115 |
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Nexperia
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2SB1260T100R |
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Rohm Halbleiter
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FZT753TA |
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Dioden eingebunden
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MJD31CT4G |
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Einheitlich
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2SD2704KT146 |
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Rohm Halbleiter
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2SC5824T100R |
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Rohm Halbleiter
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2SC5866TLQ |
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Rohm Halbleiter
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2SA2125-TD-E |
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Einheitlich
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FCX493TA |
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Dioden eingebunden
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BC857CW,115 |
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Nexperia
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MJD45H11T4G |
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Einheitlich
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BC856BW,115 |
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Nexperia
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SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- und P-KANAL 30V
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Vishay Halbleiter
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IXFX32N50Q |
MOSFET 32 Ampere 500V 0,15 Rds
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IXYS
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IXTH13N110 |
MOSFET 13 Ampere 1100V 0,92 Rds
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IXYS
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IXFH26N50 |
MOSFET-Diod Id26 BVdass500
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IXYS
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IXFK64N60P |
MOSFET 600V 64A
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IXYS
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IXFK30N100Q2 |
MOSFET 30 Ampere 1000V 0,35 Rds
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IXYS
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2SK1058-E |
MOSFET Leistung MOSFET
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Renesas Electronics
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FQP20N06L |
MOSFET 60V N-Kanal QFET Logische Ebene
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Fairchild Halbleiter
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NX1029X, 115 |
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch-Grench MOSFET
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Nexperia
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2N7002VC-7 |
MOSFET Dual-N-Channel
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Dioden eingebunden
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SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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DMP1045U-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS
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Dioden eingebunden
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IPW60R037P7 |
MOSFET HOHES POWER_NEW
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Infineon Technologies
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PMZ350UPEYL |
MOSFET 20V P-Kanal-Grench-MOSFET
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Nexperia
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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FDMC86102 |
MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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Siehe auch APT94N65B2C3G |
MOSFET Leistung MOSFET - CoolMOS
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Mikrosemi
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TPH1400ANH,L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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Toshiba
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IRF7103TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3,0A
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Infineon Technologies
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FDC637AN |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
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Fairchild Halbleiter
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IXFR40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1,2Kv Rot Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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IPB180N04S4-H0 |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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IRF9540NSTRRPBF |
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64,7nC
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Infineon Technologies
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CPC-3701CTR |
MOSFET N-Kanal FET 250 V, 360 mA
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IXYS integrierte Schaltungen
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. |
MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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Vishay Halbleiter
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