FDMS3660S
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
Power56
Produktkategorie:
MOSFET
Fabrikbestand:
0
Minimale Quantität:
3000
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1765pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
8-PowerTDFN
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
13A, 30A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
2 N-Kanal (Doppelkanal) asymmetrisch
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8 mOhm @ 13A, 10V
Leistung - Max.:
1W
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.7V @ 250µA
Reihe:
PowerTrench®
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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