IRF7341TRPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SO
Produktkategorie:
MOSFET
Fabrikbestand:
0
Minimale Quantität:
4000
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
740pF @ 25V
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0.154" , 3.90mm Breite)
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4,7A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
55V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
36nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50 mOhm @ 4,7A, 10V
Leistung - Max.:
2W
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Reihe:
HEXFET®
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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