FDS9926A
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Produktkategorie:
MOSFET
Fabrikbestand:
7500
Minimale Quantität:
2500
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
650 pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0.154" , 3.90mm Breite)
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
6.5A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
9nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30 mOhm @ 6,5 A, 4,5 V
Leistung - Max.:
900mW
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Reihe:
PowerTrench®
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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