MJD45H11T4G
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
80 V
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
90 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
5 V
Reihe:
MJD45H11
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
Die MJD45H11T4G, von onsemi, ist Bipolar Transistors - BJT.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt,die in Original und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Related Products
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: